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IXFH 12N120
16
14
Fig. 7. Input Adm ittance
20
18
16
Fig. 8. Trans conductance
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10
8
6
4
2
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
14
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4
2
0
T J = -40oC
25oC
125oC
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
2
4
6
8
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16
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36
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source -To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
33
30
27
24
21
18
15
9
8
7
6
5
4
V DS = 600V
I D = 6A
I G = 10mA
12
9
6
3
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
10
20
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40
50
60
70
80
90
100
10000
1000
100
10
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Trans ient Therm al
Resistance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
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